内容简介：8月21日消息，据媒体报道，英伟达宣布将自研基于3nm工艺的HBM内存Base Die，预计于2027年下半年进入小规模试产阶段，此举旨在弥补其在HBM领域的技术与生态短板。 未来，英伟达的HBM供应链将转向采用“内存原厂DRAM Die + 英伟达自研Base Die”的组合模式，标志着其在高性能计算存储架构中进一步深化垂直整合。 HBM已成为打破AI芯片“存储墙”的关键...
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