内容简介：据美光透露，G9工艺的新存储芯片，具备更高的能效和读写速度。存储容量横跨256GB只1TB之间，适用于旗舰智能手机和折叠屏手机。 美光宣布推出全球首款基于G9工艺节点的UFS 4.1、UFS 3.1闪存，新款闪存将提供内置AI功能，预计将在美光1y LPDDR5X芯片推出后不久应用于旗舰设备之中。 据美光透露，G9工艺的新存储芯片，具备更高的能效和读写速度。存储容量横跨256GB至1TB之间...
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